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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于鑄件、粉末成形零件的無缺限致密化處理，硬質(zhì)合金、復(fù)合材料、陶瓷的增強處理，材料間的連接與復(fù)合處理，常與燒結(jié)工藝相結(jié)合。
優(yōu)勢與特點：
采用鋼絲預(yù)應(yīng)力纏繞技術(shù)，安全可靠，廣泛應(yīng)用于航空航天、新材料、3D打印等領(lǐng)域。
可選項：
1000℃、100MPa
1500℃、150MPa
2000℃、200MPa
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.hiyoshiage.com
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